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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
배철훈 (인천대학교)
저널정보
국제차세대융합기술학회 차세대융합기술학회논문지 차세대융합기술학회논문지 제7권 제2호
발행연도
2023.2
수록면
186 - 192 (7page)
DOI
10.33097/JNCTA.2023.07.02.186

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SiC는 불순물 고용에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 2000℃에서 제작한 다공질 n형 β-SiC 반도체의 경우, 고온에서의 도전율 값이 단결정 SiC와 비교해서비슷하거나 오히려 높은 값을 나타내었으며, 반면에 열전도율은 치밀한 SiC 세라믹스와 비교시 1/10∼1/30 정도로낮은 값을 나타내었다. 본 연구에서는 SiC의 소결온도를 낮추기 위해 p형 β-SiC에 함침 시킨 Polycarbosilane(PCS) 의 열분해에 의한 반응소결 공정(1500～1600℃)으로 다공질 소결체를 제작하였다. 함침 및 재소결 공정에 의해 도전율과 Seebeck 계수가 증가하였고, 열전변환 효율을 반영하는 Power Factor는 2000℃에서 상압소결 공정으로제작한 다공질 p형 α-SiC 반도체에 비해 다소 작게 나타났지만, 출발시료인 p형 β-SiC 분말의 캐리어농도, 성형압력, PCS 함침조건 및 재소결 등의 세밀한 제어를 통해 반응소결 공정으로 제작한 SiC 반도체의 열전물성은 크게 향상될 것으로 판단된다.
#반응소결 #p형 β-SiC #Polycarbosilane #도전율 #Seebeck 계수 #Reaction Sintering #P-type β-SiC #Polycarbosilane #Electrical conductivity #Seebeck coefficient

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