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김태건 (한국공학대학교) 양유진 (한국공학대학교) 이세림 (한국공학대학교) 이승혁 (한국공학대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2023.11
수록면
45 - 52 (8page)

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현재까지 디스플레이의 Backplane 역할을 하는 비정질 산화물 박막 트랜지스터(TFT)는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 (a-Si) 대비 우수한 성능을 보이는 중국의 급격한 매장량 감소와 수출 규제로 이를 대체할 소재 개발이 필요하다. 이에 따라 현재 베트남과의 핵심 광물 공급망 구축 및 연구, 국내 광산 텅스텐 개발 프로젝트를 진행 중이기에 갈륨을 대체할 수 있는 텅스텐을 활용하여 InWZnO TFT소자를 제작했다.
본 연구 목적은 Inverted Staggered Bottom Gate 구조의 TFT를 제작하는 것이다. Active layer 물질은 기존에 국내에서 시도하지 않았던 비정질 인듐 텅스텐 아연 산화물(a-InWZnO), Source/Drain 물질은 전도성이 높고 4.33eV의 일함수를 가지는 Ti로 제작했다.
각 Layer는 RF Magnetron Sputter 기기를 사용하여 SMM(Shadow Metal Mask)를 이용하여 증착했다. TFT 측정 및 분석은 power device analyzer로 측정된 I-V Curve 데이터를 통해 parameter를 산출했다. 연구결과, InWZnO TFT 소자는 InGaZnO TFT와 유사한 전기적 특성을 나타내어 TFT 기술 분야에서 유망한 대체 소재로의 가능성을 제시하였다.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
IV. 향후 연구
참고문헌

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