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    If using multi-level cell (MLC)-MRAM, it is possible to achieve the same inference accuracy with only half the area of single-level cell (SLC)-MRAM, or improve inference accuracy while maintaining the same area. However, to obtain a read-access pass yield of more than 3σ that enables to approach software baseline accuracy of processing-in-memory (PIM), the tunnel magnetoresistance (TMR) of magnetic tunnel junction (MTJ) should be very high and the offset voltage of sense amplifier (SA) should be very small. Therefore, research for better MTJ and SA should be conducted.

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