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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 1,959 - 1,965 (7page)
이용수
초록· 키워드
1200V SiC MOSFETs are quickly penetrating to the solar inverter applications, EV charging station, and on-board chargers (OBCs). Increasing the PV array voltage of solar inverters up to 1500V from 1000V can improve endto-end efficiency and reduce installation cost. EV charger systems require bi-directional operation and charge up to 800V batteries of electrical vehicles (EVs). 1200V SiC MOSFETs are the best solution for stable performance against switching frequency and temperature enables high flexibility in overall system design, trading off between efficiency and power density requirements especially for outdoor applications that is operated under harsh environmental conditions. The purpose of this paper is to highlight the key performance of Power Master Semiconductor’s 1200V e SiC MOSFET in TO-247-4L package compared to competitor’s 1200V SiC trench and planar MOSFETs, and describe how to reduce switching losses and gate noise by using TO-247-4L kelvin source package in device level and system level.
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목차
- Abstract
- I. INTRODUCTION
- II. POWER MASTER SEMICONDUCTOR’S 1200V SIC M1 MOSFET TECHNOLOGY
- III. KELVIN SOURCE PACKAGE INTRODUCTION
- IV. SIMULATION OF POWER LOSS IN BOOST CONVERTER OF 10KWSOLAR INVERTER
- V. CONCLUSIONS
- REFERENCES
참고문헌
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