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저자정보
Hyowon Jang (University of Seoul) Yongju Lee (University of Seoul) Swarup Biswas (University of Seoul) Hyeok Kim (University of Seoul)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
1,027 - 1,030 (4page)

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Flexible memory technologies that work in a variety of environments are now necessary due to the increased interest in flexible semiconductors and flexible displays. This is especially true considering the development of the Internet of Things (IoT) and Artificial Intelligence (AI), which has increased the importance of the memory semiconductor industry. This research is an experiment using P(VDF-TrFE), an organic ferroelectric, and SiO₂, an inorganic insulator1), as a bi-layer. When using a bi-layer, SiO₂ 5 nm and P(VDF-TrFE) 600 nm showed the largest memory window value. Also, gate current value was very low at 10<SUP>-8</SUP> A.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Fabrication Methods
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References

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