알루미늄 유도 결정화를 이용한 대면적 다결정 Si 가상 기판 성장 전략

김도현; 박광욱

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김도현 (전북대학교 신소재공학부) 박광욱 (전북대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제37권 제1호

발행연도: 2024.1

수록면: 26 - 35 (10page)

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Aluminum-induced crystallization (AIC) as a route to reduce the fabrication cost and to obtain polycrystalline Si (p-Si) thin-film of large grain size is a promising alternative of single-crystalline (s-Si) substrate or p-Si thin-film obtained by conventional methods such as solid phase crystallization (SPC) and laser-induced crystallization (LIC). As the AIC process occurs at the interface between a-Si and Al thin-films, there are various process and interface parameters. Also, it directly means that there is a certain parametric window to obtain p-Si of large grain size having uniform crystal orientation. In this article, we investigate the effect of the various process and interface parameters to obtain p-Si of large grain size and uniform crystal orientation from the literature review. We also suggest the potential use of the p-Si as a virtual substrate for the growth of various compound semiconductors in a form of low-dimension as well as thin-film as a way for their monolithic integration on Si.

#AIC #Aluminum-induced crystallization #Metal-induced crystallization #Layer exchange #Virtual substrate

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