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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 272 - 277 (6page)
- DOI
- 10.5207/JIEIE.2024.38.4.272
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This study demonstrates the integration of an AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor (HFET) with a built-in micro-light emitting diode (LED), referred to as a driving switch-integrated micro-LED. AlGaN/GaN HFETs are known for their excellent electron mobility and high current density, making them suitable for high-speed and high-power switching applications. By incorporating a p-GaN/AlGaN/GaN heterojunction-based LED structure in the drain region of a p-GaN/AlGaN/GaN HFET, we achieved monolithic integration that allows the HFET switching transistor to control the integrated micro-LED operation. The threshold voltage of the enhancement-mode switching p-GaN/AlGaN/GaN HFET was 1.7V, and the turn-on voltage of the monolithically integrated micro-LED was 4V. This approach represents a significant advancement in monolithic switching for GaN-based devices and confirms the potential for developing optoelectronic integrated devices using a simple and cost-effective process.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 과정
3. 실험 결과
4. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
M. Meneghini, L. R. Trevisanello, G. Meneghesso, and E. Zanoni, “A review on the reliability of GaN-based LEDs,” IEEE Trans. Device Mater. Reliab., vol. 8, no. 2, pp. 323-331, 2008.
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Y. Huang, E. L. Hsiang, M. Y. Deng, and S. T. Wu, “Mini-LED, micro-LED and OLED displays: Present status and future perspectives,” Light Sci. Appl., vol. 9, no. 105, 2020.
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