Analysis of Program Speed Characteristics Having Non-ideal Channel Profile in 3D NAND Flash Memory

Jaewoo Lee; Yungjun Kim; Yoocheol Shin; Seongjo Park; Hojong Kang; Daewoong Kang; Myounggon Kang

doi:10.5573/JSTS.2024.24.4.387

추천

검색

질문

자료유형: 학술저널

저자정보: Jaewoo Lee (Korea National University of Transportation) Yungjun Kim (SK Hynix) Yoocheol Shin (SK Hynix) Seongjo Park (SK Hynix) Hojong Kang (SK Hynix) Daewoong Kang (Seoul National University) Myounggon Kang (Korea National University of Transportation)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.24 No.4

발행연도: 2024.8

수록면: 387 - 392 (6page)

DOI: 10.5573/JSTS.2024.24.4.387

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

초록· 키워드

오류제보하기

This study presents an in-depth investigation of the channel profile and program speed of non-ideal vertical 3-dimensional (3D) NAND Flash Memory. Using 3D technology computer-aided design (TCAD) simulations, the channel profiles were transformed into oxide-nitride-oxide (O/N/O) structures, providing insights into their impact on the device performance. Step-by-step programming was conducted for the initial state of each channel profile. Upon applying the programmed voltage, variations in the E-field of the tunneling oxide were observed based on the channel profile. Consequently, the concentration of the trapped electrons in the nitride, depending on the channel profile, was identified. Therefore, this study analyzed the influence of E-field differences due to channel profiles on the program speed and investigated vulnerable structures.

#3D NAND flash memory #channel profile #electric field #program speed #threshold voltage

참고문헌 (22)

참고문헌 신청

Compagnoni, Christian Monzio, et al. "Reviewing the evolution of the NAND flash technology." Proceedings of the IEEE 105.9 (2017): 1609-1633.

Micheloni, Rino, Seiichi Aritome, and Luca Crippa. "Array architectures for 3-D NAND flash memories." Proceedings of the IEEE 105.9 (2017): 1634-1649.

Kang, Dongku, et al. "256 Gb 3 b/cell V-NAND flash memory with 48 stacked WL layers." IEEE Journal of Solid-State Circuits 52.1 (2016): 210-217.

Nitayama, Akihiro, and Hideaki Aochi. "Vertical 3D NAND flash memory technology." ECS Transactions 41.7 (2011): 15.

M. Kang, et al. "Improving read disturb characteristics by using double common source line and dummy switch architecture in multi level cell NAND flash memory with low power consumption." Japanese Journal of Applied Physics 50.4S (2011): 04DD03.

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문과 함께 이용한 논문

Analysis of Cell Current with Abnormal Channel Profile in 3D NAND Flash Memory

Jaewoo Lee , Yungjun Kim , Yoocheol Shin 외 4명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2024 .04

최근 본 자료

전체보기

UCI(KEPA) : I410-151-24-02-090252765

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	원문	원문 PDF 파일
AI 학습용 데이터	원문 + 메타 (기본/상세)	원문 PDF 파일 및 서지정보 CSV
대량 구매용 데이터	B2B 구독 방식	특정 자료 한정으로 원문 접근 권한 부여
대량 구매용 데이터	URL 전달 방식	바로 PDF 뷰어를 열람할 수 있는 URL 제공

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	기본 메타	발행기관명, 간행물명, 권호명, 권(vol), 호(issue), 통권, 발행연도, 발행월, 논문명, 저자명, 시작페이지, 종료페이지, 전체페이지, 상세페이지URL
상세 메타 데이터	발행기관 메타	발행기관 이명, 영문명, 창립연도, 홈페이지URL, 발행기관 소개
	간행물 메타	부제목, 간행물 유형, ISSN, ISBN, 최초발행연도, 폐간연도, 간행빈도, 발행주기, 등재사항, 이용수, 피인용수, 권호수, 논문수, 표지이미지
	논문 메타	작성 언어, 부제목, 대등제목, 목차, 키워드, 초록, 이미지, 참고문헌, 이용수, 피인용수, 논문활용도, DBpia통합주제분류, KDC분류, DDC분류, 한국연구재단분류, UCI, DOI
	저자 메타	소속기관, 소속부서, 직급, 연구분야, 연구키워드, 이용수, 피인용수, 저자 논문활용도

구분	그룹	데이터 항목
※ 결합형/맞춤형 메타 데이터는 신청 내용에 따라 다양하게 제공 가능
이용순위 정보	주제분야별 많이 이용된 논문	“인문학”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	이용기관별 많이 이용된 논문	“중고등학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	세부기관별 많이 이용된 논문	“서울대학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	키워드별 많이 이용된 논문	“Chat GPT”에서 많이 이용된 논문 TOP100
키워드 정보	많이 이용된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 이용된 키워드
	많이 발행된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 발행된 키워드
	많이 검색된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 검색된 키워드
	연구 트렌드 키워드	특정 키워드 연관 연구동향 분석 데이터 키워드

논문 기본 정보

초록· 키워드

AI 요약

연구주제

연구배경

연구방법

연구결과

주요내용

목차

참고문헌 (22)

함께 읽어보면 좋을 논문

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

댓글(0)