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초록·키워드
Gate length가 0.1㎛인 floating body(FB) PD-SOI MOSFET에서 나타나는 RF inductive 효과를 모델링한 effective inductance L<sub>k</sub>와 RF kink resistance R<sub>k</sub>의 V<sub>GS</sub> 종속성을 측정된 S-parameter로부터 direct하게 추출한 후에 처음으로 물리적으로 분석하였다. V<sub>GS</sub> 증가에 따라 L<sub>k</sub>와 R<sub>k</sub>의 값이 감소하게 되는데, 이는 L<sub>k</sub>가 body transconductance g<sub>mb</sub>와 impact ionization conductance g<sub>mi</sub>에 반비례하고, R<sub>k</sub>는 g<sub>mb</sub>와 반비례하기 때문이다. 물리적으로 유도된 방정식들을 사용하여, 0.1㎛의 short-channel FB 소자에서 V<sub>GS</sub>가 커질 때 g<sub>mi</sub>가 상승되는 현상은 impact ionization multiplication factor의 감소보다 I<sub>DS</sub> 증가가 더 우세하여 발생하고, V<sub>GS</sub> 상승에 따른 g<sub>mb</sub>의 증가는 transconductance와 내부 body 전압의 상승이 주요 원인임을 확인하였다. 이러한 L<sub>k</sub>와 R<sub>k</sub>의 V<sub>GS</sub> 전압 종속성은 물리적인 등가회로를 사용한 S-parameter optimization 과정을 통해 V<sub>GS</sub> 증가에 따라 g<sub>mi</sub>와 g<sub>mb</sub> 추출 값이 상승하는 것을 관찰함으로써 검증되었다.
본문·목차
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