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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 180 - 180 (1page)
이용수
초록· 키워드
CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정은 웨이퍼 표면의 다양한 박막을 연마하거나 제거하여 표면을 평탄화하는 과정으로, 연마 대상 물질의 표면에 화학적 반응을 일으켜 기계적 연마를 보다 용이하게 한다. 최근 반도체 메모리에 대한 수요가 증가함에 따라 CMP 공정에서 사용되는 슬러리의 중요성이 더욱 강조되고 있다. 반도체 제조 공정에서 결함 발생을 최소화하고 생산 수율을 높이기 위해서는 CMP 슬러리의 조성 개발, 응집체 제어, 그리고 동적 안정성 확보 등의 기술이 중요하게 대두되고 있다. CMP 공정은 1차 연마와 2차 연마로 나뉘는데, 기존 연구 개발은 주로 2차 연마 ... 전체 초록 보기
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