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초록·키워드
화학기계적 연마(Chemical mechanical polishing; CMP)는 연마 패드와 웨이퍼(Wafer)의 상대속도, 웨이퍼에 가해지는 압력 등 기계적인 요인뿐만 아니라, 슬러리 (Slurry) 입자와 표면 간의 상호작용, 슬러리 유기 첨가제의 화학적 요인으로 표면 요철을 제거하여 웨이퍼 혹은 박막을 평탄화하는 고도의 정밀가공 공정이다. CMP는 집적 회로 및 메모리 등을 제조하기 위한 반도체 산업에서의 제조공정 중 하나이다.
최근 CMP 관련 최신동향에 있어 선폭 감소로 인해 웨이퍼 내 재료 제거 균일도의 중요도가 높아지고 있다. 이에 따라 CMP 공정의 역할도 확대되고 있으며 단순한 평탄화뿐만 아니라 웨이퍼의 결함 개선 등을 통해 후속 공정의 안정화에 차지하는 비중이 높아지고 있으며, 반도체 수율 향상에 크게 기여하고 있다. 이러한 중요성으로 인해 CMP 장비와 기술이 발전되었으며 요구되는 CMP 공정 수가 늘고 있기에 관리기준도 점점 엄격해지는 추세이다.
반도체 산업 분야에서 인공지능은 대량의 데이터를 신속하게 처리하여 복잡한 변수 간의 관계를 파악할 수 있어 데이터 분석의 효율 향상과 공정 결과의 예측에 많이 활용되고 있으며 이에 관한 연구들이 수행 중에 ... 전체 초록 보기
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