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(한국교통대학교) (한국교통대학교) (한국교통대학교) (서울시립대학교)
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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
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35 - 38 (4page)

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In this paper, we analyzed the on-current and boosting efficiency according to the degree of recess in 3D NAND flash memory with a dimple structure. For on-current, both the convex and concave structures showed lower results compared to the conventional structure. However, the possibility of improvement was confirmed by applying a high-k material to the spacer. In terms of boosting efficiency, the convex dimple structure showed an increase in efficiency due to electric field concentration caused by the deformation of the word line(WL), leading to higher boosting efficiency compared to the conventional structure. On the other hand, for the concave dimple structure, the deformation of the spacer caused electric field dispersion into the spacer, resulting in lower boosting efficiency.
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목차

  1. Abstract
  2. I. 서론
  3. II. 본론
  4. III. 결론
  5. 참고문헌

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