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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
이찬섭 (경북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2024.11
수록면
284 - 287 (4page)

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This paper examines the impact of annealing temperature on the performance of Y₂O₃-based resistive random-access memory (RRAM) devices. Y₂O₃ films, processed via sol-gel and annealed at 300°C, 400°C, and 500°C, were evaluated for their electrical and structural properties. Devices with ITO (Indium Tin Oxide)/Ag electrodes exhibited bipolar switching behavior. Higher annealing temperatures reduced oxygen vacancies, improved the high-to-low resistance ratio, and enhanced device retention and endurance. These results underscore the significance of optimal annealing in enhancing the performance of Y₂O₃-based RRAM devices.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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