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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.12
- 수록면
- 635 - 643 (9page)
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후열처리(Post-Annealing) 공정은 소자 제작 후 추가적인 열을 가하는 것으로 소자의 안정성을 높이고 성능을 개선시키는 방안으로 연구되고 있다. 소자의 구조에 따라 공정조건과 결과가 다르게 나타나기에 그 원인을 규명할 필요가 있다. 본 연구에서는 Post-Annealing 공정이 전하의 흐름에 미치는 영향을 조사했다. 연구 결과 최대 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency; EQE)과 전류효율(Current Efficiency)이 각각 118 %, 120 %, 최대 휘도는 1000 nit 상승하였으며, 전압 당 전류밀도는 줄어들었다. 이는 전자 주입의 향상으로 인해 발광층으로 공급되는 전하의 균형이 향상되는 것과, 에폭시 레진의 Thiol 분자가 열에 의해 하부층으로 확산되어 Quantumdot(QD)의 photoluminescence(PL)성능을 향상시키기 때문으로 특정된다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (0)
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