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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.12
- 수록면
- 687 - 695 (9page)
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본 연구에서는 GaN MIS-HEMT 소자의 방사선 신뢰성을 평가하기 위해 5 MeV 및 25 MeV 양성자 조사를 수행하고, TMAH 표면처리 공정이 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. TMAH 공정은 표면의 네이티브 산화물을 제거하고 표면 거칠기를 평탄화하여 소자의 성능과 신뢰성을 높이는 역할을 한다. TMAH 공정를 적용한 소자의 경우, 양성자 조사 후 on current와 Ron, 문턱 전압 변화율을 증가시켜 소자의 성능 저하를 심화시키는 것으로 나타났다. 특히, 5 MeV 조사에서는 TMAH 공정이 소자의 특성에 미치는 영향이 더 두드러졌으며, 25 MeV 조사에서도 유사한 경향이 확인되었다. 결론적으로, TMAH 공정은 양성자 조사 에너지와 관계없이 소자의 전기적 특성 변화에 기여할 수 있으므로, 방사선 환경에서 소자의 신뢰성을 보장하기 위해 공정 조건을 신중히 평가하고 최적화할 필요가 있다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
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