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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김지현 (충남대학교) 이정섭 (충남대학교) 홍기민 (충남대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제70권 제2호
발행연도
2020.2
수록면
119 - 124 (6page)

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전기도금 방법으로 코발트 박막을 제작하고 이를 작용전극에서 분리한 후 갈바니 치환반응을 이용하여 비스무트 텔루라이드로 변환하였다. 순수한 전해액으로 도금한 코발트와 전기도금 전해액에 미량의 유기첨가제를 가하여 도금한 코발트를 치환하여 얻은 비스무트 텔루라이드로는 결정구조와 비저항이 대단히 상이한 특성을 나타낸다. 순수한 전해액으로 도금한 코발트를 치환하여 얻은 BiTe 박막은 비정질 다결정 구조를 나타내고 낮은 비저항을 보인다. 그러나 유기첨가제를 가하여 도금한 코발트를 치환하여 얻은 비스무트 텔루라이드는 대단히 높은 비저항값을 보인다. 이러한 비저항의 증가는 코발트 전기도금 과정에서 첨가한 유기첨가제가 코발트와 치환되는 비스무트 텔루라이드의 결정구조에 미치는 영향에 의한 것으로 보인다.

목차

I. 서론
II. 실험 방법
III. 실험 결과 및 분석
IV. 결론
REFERENCES

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