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초록·키워드
In this work, we evaluated the thermal resistance of AlGaN/GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with different GaN buffer thicknesses. The thermal resistance was derived by correlating the decrease in I<sub>D.SAT</sub> values under both self-heating and external-heating conditions with pulsed I-V measurements. The experiments were carried out with a short duty cycle (0.1%) to minimize heating during the measurement state. I<sub>D.SAT</sub> decreases as the channel temperature increases by dissipated power or elevated external temperature, respectively. By matching the I<sub>D.SAT</sub> values from these two conditions, we determined the channel thermal resistance. The thin buffer GaN device demonstrated a lower thermal resistance, indicating that a thinner buffer layer aids in more efficient heat dissipation to the substrate.
본문·목차
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