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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 청정에너지연구소 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제6권 제2호
- 발행연도
- 2005.6
- 수록면
- 101 - 105 (5page)
이용수
초록· 키워드
Diamond-like carbon (DLC) films were deposited on p-type (100) Si wafers using a plasma-enhanced chemical vapor depositionsystem and their structural bonding characteristics and mechanical properties were investigated as a function of the mixtureratio of methane-hydrogen gas and the bias voltage. It was found that the deposition rate increased with an increase in theflow rate of methane in the gas mixture and an increase in bias voltage. The sp3/sp2 ratio of carbon in the films and thehardness of the films increased with an increase in the flow rate of hydrogen in the gas mixture and an increase in the biasvoltage.
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