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학술저널
저자정보
(고려대학교) (Korea University) (한국원자력연구원) (고려대학교)
저널정보
한양대학교 청정에너지연구소 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제9권 제2호
발행연도
수록면
155 - 157 (3page)

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AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMT) were irradiated at 5 keV and 25 MeV proton energies. Current-voltages were compared before and after proton irradiation. As expected from simulation results, 5 keV protons severely damaged the transistors’ performance compared to 25 MeV protons. Also, the effects of both low and higher fluencies were compared. Source-Drain currents were dramatically decreased under a higher fluency. Due to the extremely thin 2-Dimensional Electron Gas and the high displacement threshold energy, AlGaN/GaN HEMTs have great potential for applications in earth orbit.
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