SiC nanowires formed by high energy ion beam irradiation to polymer films and heating

Satoshi Tsukuda; Shu Seki; Masaki Sugimoto; Seiichi Tagawa; Shun-Ichiro Tanaka

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자료유형: 학술저널

저자정보: Satoshi Tsukuda (Tohoku University) Shu Seki Masaki Sugimoto Seiichi Tagawa Shun-Ichiro Tanaka

저널정보: 한양대학교 청정에너지연구소 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제9권 제5호

발행연도: 2008.10

수록면: 466 - 469 (4page)

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Ion bombardment can release densely active intermediates within a cylindrical area along the passage of a single ion. The cylindrical area, in which high-energy is deposited from projectile ion, is sometimes called an “ion track”. The high energy charged particle irradiation of a polycarbosilane (PCS) film causes cross-linking reactions, leading to the formation of a polymer gel containing cylindrical nanostructures (nanowires). The diameter and length of the nanowires were completely controlled by changing several parameters. PCS is also a well-known a precursor of silicon carbide (SiC), and the PCS nanowires formed by the present techniques were heated at 1,000 oC in Ar gas. A SiC ceramic wire, which has a higher heat resistance than polymers, was obtained on a Si substrate by conversion from the PCS nanowires. In this paper, the crystal structure and phase of the SiC nanowires obtained are discussed.

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