Antireflection coating of a SiO/SiN double layer on silicon fabricated by magnetron sputtering

Kyoon Choi; Kyung-Ja Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Kyoon Choi (KICET) Kyung-Ja Kim (KICET)

저널정보: 한양대학교 청정에너지연구소 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제11권 제3호

발행연도: 2010.6

수록면: 341 - 343 (3page)

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Silicon nitride and oxide double layers for anti-reflection coatings on silicon were made via RF magnetron sputtering using a silicon nitride target and then studied. The silicon nitride and oxide films were obtained at sputtering conditions of 340W RF power, 5 mtorr (0.667 Pa) Ar, a 100 oC substrate temperature both in the presense and absence of oxygen, respectively. The films showed an average 3% reflectivity between a 400 and 1100 nm wavelength. The nitride had a refractive index of 2.36and an absorption coefficient of 0.21 with a thickness of 85 nm, which was 26% thicker than the ideal thickness for an antireflection coating. The oxide had a refractive index of 1.48 and an absorption coefficient of 0 with an ideal thickness of 1075 nm. The surface morphology consisted of a smooth and dense film with good adhesion to the silicon surface.

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