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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2026.4
- 수록면
- 410 - 413 (4page)
이용수
초록· 키워드
GaN HEMT 소자의 기존 컴팩트 모델은 S22 파라미터에서 상당한 부정확성을 나타내며, 이는 출력 컨덕턴스(gds) 파라미터의 부적절한 추출에서 기인한다. 본 논문에서는 소자 특성화 중 자체 발열 효과를 효과적으로 제거하는 펄스 S-파라미터 측정을 통해 S22 정확도를 향상시키는 체계적인 방법론을 제시한다. 펄스 I-V 및 S-파라미터 측정 시스템을 사용하여 정확한 바이어스 의존 gds 값을 추출하고 이를 업계에서 널리 채택되는 Angelov 컴팩트 모델에 통합하였다. 실험적 검증 결과, 10 GHz까지의 주파수 범위에서 S22 예측 정확도가 크게 향상되어 오류율이 15 %에서 약 8.5 %로 감소하였으며, 실제 PA 설계 응용에 중요한 출력 정합 특성이 개선되었다.
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목차
- 요약
- Abstract
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 제안된 RF GaN HEMT 모델링 기법
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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