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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.12
- 수록면
- 433 - 438 (6page)
이용수
초록· 키워드
본 연구에서는 하나의 MIM 구조 내에서 강유전성과 저항성 스위칭 특성을 선택적으로 구현할 수 있는 이중 모드 멤리스터를 제안하였다. 비가역적 모드 전이를 통해 소자는 강유전성 멤리스터로 먼저 동작한 후, 안정적인 저항성 멤리스터로 전환된다. In-situ 방식의 I-V 피팅 결과, 강유전성 모드에서는 DT-FN 터널링 및 Poole-Frenkel 방출이, 저항성 모드에서는 SCLC 메커니즘이 지배적으로 작용함을 확인하였다. 하나의 소자 내에서 전도 및 기억 특성을 선택적으로 제어할 수 있다는 점은 단기 및 장기 기억 특성이 동시에 요구되는 PIM 기반 인공지능 컴퓨팅 구조에 유망한 차세대 메모리 후보임을 시사한다.
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목차
- Abstract
- 요약
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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