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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.12
- 수록면
- 439 - 445 (7page)
이용수
초록· 키워드
본 연구에서는 p형 산화니켈을 활용한 산화갈륨 기반 정션 배리어 쇼트키 다이오드의 구조 최적화를 위해 TCAD 시뮬레이션을 수행하였다. 산화니켈 섬의 전체 너비는 일정하게 유지하면서 섬의 개수를 2개에서 5개까지 변화시켰고, 그에 따른 항복 전압(BV) 과 특정 온저항(R<sub>on,sp</sub>)의 변화를 분석하였다. 섬 개수의 변화는 전기적 특성에 큰 영향을 주지 않았으나, 동일 조건의 트렌치 구조를 적용했을 때 BV는 약 50 V 증가하고 R<sub>on,sp</sub>는 감소하여 PFOM (The Power figure of Merit)이 약 2배 향상되었다.
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목차
- Abstract
- 요약
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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