실리콘 기판 위에서의 금속 배선 형성을 위한 DED 공정

윤치재; 임수빈; 박준영; 최균석; 김민회

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저자정보: 윤치재 (Hanbat National University) 임수빈 (Hanbat National University) 박준영 (Hanbat National University) 최균석 (Hanbat National University) 김민회 (Hanbat National University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제29권 제4호

발행연도: 2025.12

수록면: 640 - 645 (6page)

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본 연구에서는 DED 공정을 실리콘 기판 위에서의 금속 배선 형성에 최초로 적용하여 전기적 특성을 살펴보았다. 금속 분말 소재, 레이저 출력, 프린팅 횟수, 버퍼층 도입을 통한 공정 최적화로 저항이 수 Ω 수준인 배선을 구현함과 동시에 DED 공정의 열로 인한 하부 절연층의 절연 파괴가 발생하지 않는 조건을 확보하였다. 최적화된 DED 공정으로 산화물 박막 트랜지스터를 연결하는 금속 배선과 소스-드레인 전극으로 사용하여 전기적 연결이 가능함을 보였다. 본 연구는 DED 공정이 BEOL 영역에서의 배선 및 전극 형성을 위한 방법으로 적용될 가능성을 입증하였다.

#BEOL #Direct Energy Deposition #Metal Interconnects #IGZO TFT #Work Function

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