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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.12
- 수록면
- 676 - 681 (6page)
이용수
초록· 키워드
우주 및 저궤도 환경에서 반도체 소자의 안정적 동작을 위해서는 방사선에 대한 높은 내성이 필수적이다. 본 연구에서는 GaAs 반도체에 MgO(1 nm) 중간층을 적용한 MIS 컨택 구조를 도입하고, 금속 전극 종류에 따른 내방사선 특성 차이를 분석하였다. Al 및 Mo 전극을 적용한 소자에 대해 100 MeV 양성자 조사 실험을 수행한 결과, Al/MgO/GaAs 구조는 조사 후 전류가 약 2,000배 감소하는 심각한 열화를 보였다. 반면 Mo/MgO/GaAs 구조는 조사 전후 전류 특성이 거의 유지되어 우수한 방사선 안정성을 나타냈다. 이는 Mo/MgO 계면의 높은 화학적 안정성에 의해 방사선 유도 계면 열화가 효과적으로 억제되었기 때문으로 해석된다. 본 연구는 방사선 환경에서 신뢰성이 요구되는 MIS 컨택 설계를 위한 금속 선택 및 계면공학적 설계 지침을 제시한다.
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목차
- Abstract
- 요약
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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