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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2026.3
- 수록면
- 142 - 151 (10page)
이용수
초록· 키워드
본 연구에서는 우주 방사선 환경을 고려하여 SiC PIN 구조 기반 자가발전형 자외선(UV) 센서의 광응답 특성과 전극 구조의 영향을 분석하였다. 가장자리(edge-type) 및 격자(mesh-type) 전극 구조를 적용한 소자를 제작하고, 양성자 조사 전후의 자외선 및 백색광 응답을 비교하였다. 자외선 조사 시 두 구조 모두 0 V에서 광전류가 발생해 자가발전 동작을 확인했다. 양성자 조사 후 edge-type은 광전류가 크게 감소한 반면, mesh-type은 상대적으로 안정적인 응답을 유지했다. 백색광 조건에서도 양성자 조사 후 두 구조 모두 광전류가 감소하였으며, 0 V 기준 광전류 감소폭은 mesh-type이 edge-type보다 작게 나타났다. 결론적으로 SiC PIN 소자의 자가발전형 UV 센서 활용 가능성을 확인하였으며, 방사선 환경에서는 mesh-type 전극이 응답 안정성 확보에 유리한 설계임을 제시한다.
#SiC PIN device
#Proton irradiation
#Electrode structure
#Photocurrent stability
#Self-powered UV sensor
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목차
- Abstract
- 요약
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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