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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2026.3
- 수록면
- 194 - 199 (6page)
이용수
초록· 키워드
SiC MOSFET은 높은 임계 전기장과 우수한 열적 특성으로 인해 전력 변환 시스템에 널리 사용되고 있다. 그러나 바디 다이오드 전도와 역회복 현상이 발생하여 추가적인 손실과 신뢰성 문제를 유발한다. 본 연구에서는 이러한 한계를 개선하기 위해, 온-오프 전류 경로를 JFET 영역을 통해 제어하도록 설계된 비대칭 게이트(ASG) 구조를 적용한 1.7 kV급 SBD 내장형 SiC MOSFET을 제안한다. 제안된 ASG-MOSFET은 D-MOSFET 대비 특정 온-저항(R<sub>on,sp</sub>)가 0.93 mΩ×cm²에서 0.92 mΩ×cm²로 감소하고, 총 스위칭 손실(E<sub>total</sub>)은 3.50 mJ/cm²에서 3.06 mJ/cm²로 약 12.6 % 저감됨을 확인하였다.
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목차
- Abstract
- 요약
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 본론
- Ⅲ. 결론
- References
참고문헌
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