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초록·키워드
This paper presents a gain-boosted flipped-voltage-follower (FVF)-based NMOS low-dropout (LDO) regulator with fast undershoot recovery. The proposed LDO achieves both fast and accurate regulation by combining an FVF with a common-source (CS) stage and a super source follower (SSF) stage to drive the NMOS pass transistor. An inverter-based undershoot detector is employed to improve the transient response under large load-current steps. Designed using a 28-nm CMOS process, the prototype LDO supports a load current of up to 2 A while maintaining a 50-mV dropout voltage at VIN = 1.05 V and VOUT = 1.0 V and achieves an undershoot of 108 mV and a 1% settling time of less than 31 ns under a 2-A/10-ns load-current step with a 350-pF load capacitor. The prototype also achieves a peak current efficiency of 99.98% and an FoM of 0.004 ps.
본문·목차
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