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초록·키워드
A flipped voltage follower (FVF)-based low-dropout (LDO) regulator employing a gain-boosted super source follower (SSF) is presented. The proposed LDO incorporates a common-gate (CG) stage in the fast feedback path to enhance the loop gain, extend the unity-gain bandwidth (UGB), and improve the transient response under rapid load-current variations. Fabricated in a 28-nm CMOS process, the prototype supports a maximum load current of 80.7 mA with a 100-mV dropout voltage. For a 74.8-mA load step with a 2.9-ns edge time, it achieves a 27.8-mV undershoot. The LDO also achieves a load regulation of 0.03 mV/mA and a transient FoM of 8.95 ps·V.
본문·목차
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