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초록·키워드
본 논문에서는 130 nm BCD 공정을 사용하여 5G 기지국용 GaN 전력 증폭기의 구동을 위한 high-voltage buck converter의 완전한 폐루프 동작에 필요한 low-to-high 및 high-to-low 고전압 레벨 시프터를 설계하였다. 제안한 회로는 과도 상태 동안 풀업을 강화하여 5～53 V의 넓은 입력 전압 범위에서도 안정적으로 동작함을 모든 코너 상황에서 검증하였다. 또한 부트스트랩 회로의 누수에도 강건하게 동작하며, 모든 코너 상황에서 15 ns 이하의 과도 응답 지연 시간을 달성하여 신뢰성을 확보하였다.
본문·목차
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