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초록·키워드
본 논문에서는 광대역 무선 통신 및 고해상도 레이다 응용을 위한 40-nm CMOS 기반 D-대역(110～170 GHz) 2-way 전력 증폭기를 제안한다. 제안한 전력 증폭기는 발룬, 전력 분배•결합기 및 입출력 정합망을 일체화하고, 전송선과 입출력 패드를 정합 구조의 일부로 활용하여 수동 회로의 삽입 손실과 칩 면적을 줄였다. 증폭기 코어는 교차 결합 중성화 커패시터를 적용한 4단 차동 공통 소스 구조로 설계하여 게이트-드레인 기생 커패시턴스에 의한 역방향 결합을 보상하였다. 측정 결과, 139.2 GHz에서 최대 소신호 이득 19.52 dB, 포화 출력 전력 12.68 dBm, 1-dB 출력 압축점 6.9 dBm 및 최대 전력 부가 효율 10.52 %를 달성하였으며, 핵심 회로 면적은 0.114 mm²이다.
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