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The emergence of fast pixelated direct electron detectors over the last years is allowing experiments in four-dimensional scanning transmission electron microscopy (4D-STEM) that would previously be too slow or noisy to be feasible, for example enabling the assessment of internal electric fields with high spatial resolution and precision[1-4] However, the electric field strength of long range built-in electric fields present in semiconductor devices, for example those associated with p-n junctions, is typically three orders of magnitude smaller than atomic electric fields, making 4D-STEM experiments in such systems challenging.It is therefore interesting to assess the detection limit and signal to noise that can be expected depending on the TEM operation conditions.
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
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