인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
DBpia AI
AI 에이전트
AI 아이디어
AI 리더
AI 뷰어
Citeasy
크롬 서지관리 다운로드
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록·키워드
Ionized physical vapor deposition techniques, such as high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), are gaining popularity but face challenges for deposition on insulating materials, where applying negative potentials for ion acceleration is difficult. While radio frequency biasing works on insulators, it risks film damage from energetic process gas ions. Here, we present Synchronized Floating Potential HiPIMS (SFP-HiPIMS), which exploits the substrate's transient negative floating potential during HiPIMS discharges. By timing the ion arrival with this negative potential, selective metal-ion acceleration can be achieved, improving adatom mobility while minimizing energetic Ar<sup>+</sup> bombardment. As proof-of-concept, we deposit Al<sub>0.88</sub>Sc<sub>0.12</sub>N thin films on various insulating substrates. SFP-HiPIMS improves the films' crystallinity, texture and residual stress, and also enables epitaxial growth on c-cut sapphire at temperatures as low as 100 °C. SFP-HiPIMS provides a solution for a long-standing challenge in physical vapor deposition, which works for many different materials and integrates readily with standard deposition equipment.
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
