인문학
사회과학
자연과학
공학
의약학
농수해양학
예술체육학
복합학
DBpia AI
AI 에이전트
AI 아이디어
AI 리더
AI 뷰어
Citeasy
크롬 서지관리 다운로드
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록·키워드
Abstract In this work, a Ga₂O₃ self‐switching nano‐diode (SSND) fabricated on a sapphire substrate is presented. Unlike previous SSND studies that primarily focused on rectification, this work explores additional device characteristics, including breakdown voltage and photodetection functionality. The diode exhibits increased current with the increase in the relative permittivity (κ) of the device trenches, and under UV illumination. Devices with increased κ achieve a high current density of ≈10 kA cm − 2 , a rectification ratio of ≈10⁴, and a specific on‐resistance as low as 0.29 mΩ cm 2 . They also exhibit a breakdown voltage greater than 100 V, and a maximum power figure‐of‐merit of 35.46 MW cm − 2 . Moreover, under 240 nm light illumination, the diodes showed a responsivity close to 10 4 A W −1 . These initial results demonstrate the potential of the SSNDs toward monolithic Ga₂O₃ circuits that are currently under extensive investigation for various applications.
인공지능 문자 인식 모델을 통해 추출된 텍스트로, 일부 오타나 오류가 포함될 수 있으나 지속적으로 개선 중입니다.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
오류를 발견하셨다면 해당 부분을 드래그한 후 ' 를 통해 신고해주세요.
최근 본 자료 전체보기
