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(고려대학교, 고려대학교 대학원)

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이철진
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Transition metal dechalcogenides(TMDs), Molybdenum disulfide(MoS2)를 mechanical exfoliation 방법을 통해 박리하여 이를 채널(Channel)로 사용하여 실리콘 기판 위에 TFT(Thin Film Transistor) 소자를 제작하였다. 2-Dimensional 나노물질인 Molybdenum disulfide(MoS2)는 구조적으로 적층된 층상 구조로 이루어져 층과 층 사이의 분리가 용이하여 단층으로 분리가 가능하다. 따라서 scotch tape method를 이용하여 실리콘 기판으로 MoS2를 transfer한 후에 photolithography 공정을 이용하여 Thin Film Transistor를 제작하였다. Scotch tape method를 이용하여 다양한 두께의 MoS2를 박리하였으며, Atomic Force Microscopy(AFM), Raman spectroscopy, Photoluminesc ence(PL) 측정을 통해 두께와 층수를 확인하였다. 분석결과 각각 1-layer, 3-layer, 6-layer, 10-layer인 MoS2를 채널로 사용하여 소자 특성을 분석하였다. 연구 결과에 의하면 6-layer MoS2 박막에서 최대 성능을 나타냈으며, 이 소자의 Ion/Ioff는 107, 전하 이동도는 18 cm2/V·s로 평가되었다.
#Molybdenum disulfide #Thin Film Transistor

목차

  1. 요약문
    Abstract
    목차
    그림 목차
    1. 서론
    2. 이론 및 선행연구
    2.1. MoS2의 물성
    2.1.1. MoS2의 구조 및 특성
    2.1.2. MoS2의 광학적 특성
    2.2. MoS2 박막 형성
    2.2.1. MoS2 박막 형성법
    2.2.2. MoS2 박막의 전하 이동 특성
    3. 실험 방법
    3.1. MoS2 박막의 광학적 분석에 의한 층수 측정
    3.2. MoS2 박막의 물리적 분석에 의한 두께 측정
    3.3. MoS2 TFT 소자 제작
    3.3.1. MoS2 TFT 소자 구조
    3.3.2. MoS2 TFT 소자 제작 공정
    4. 실험 결과
    4.1. MoS2 TFT 소자 채널의 형성
    4.2. MoS2 TFT 소자의 VSD-ISD 특성
    4.3. MoS2 TFT 소자의 VG-ISD 특성
    5. 결론
    6. 참고문헌

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