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이용수7
2013
목 차요 약 ………………………………… ⅰ표 목 차 ………………………………… ⅲ그림목차 ………………………………… ⅳⅠ. 서 론 ................................................................ 11.1 연구 배경1.2 연구 내용 및 목표Ⅱ. 이론적 배경 ......................................................... 62.1 반도체 제조 공정2.2 반도체 기술 동향2.3 WLP(Wafer Level Package) 공정2.4 Molding 공정2.5 EMC 재료 물성2.6 몰딩공정 모사Ⅲ. 테스트모델 해석 및 해석알고리즘 ............................ 183.1 가압 해석 테스트 모델3.2 열 변형 해석 테스트 모델3.3 Warpage 해석 테스트 모델3.4 해석 알고리즘Ⅳ. 2D모델 유한요소해석 ............................................ 244.1 EMC 전면적 도포 모델4.2 EMC 중심부 도포 모델4.3 EMC 도포 방식에 따른 해석결과 고찰4.4 가압속도에 따른 영향성 고찰Ⅴ. 3D모델 유한요소해석 ............................................ 405.1 가압력 해석5.2 Die shift 해석5.3 Warpage 해석(1) 해석 조건(2) Substrate 재질 및 두께, EMC 두께에 따른 영향(3) 분산분석을 이용한 고찰(4) Silicon die 두께에 따른 영향(5) 실험결과 고찰Ⅵ. 결 론 ............................................................... 58참고문헌 ................................................................ 60Abstract ................................................................ 65
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