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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김태성
- 발행연도
- 2017
- 저작권
- 성균관대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수27
초록· 키워드
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본 논문에서는 photolithography 공정에서의 패턴 형성에 defocus를 발생하는 인자인 silicon wafer backside의 particle을 Tokyo Electron 社의 spin track 설비 구성요소 중 하나인 Backside Surface Treatment(BST) unit을 이용하여 효과적으로 세정하는 방법을 제안한다. S. Nishikido 등과 Yochi. Tokunaga 등은 BST와 stand-alone scrubber와의 비교를 통해 BST의 성능에 대한 연구를 하였다. [1], [2] 하지만 기존의 연구에서 0.3㎛ 의 Polystyrene latex (PSL)을 이용하여 particle 제거능력을 확인하였기 때문에, mass manufacturing 환경에서의 process 최적화가 되어 있지 않다. 본 연구에서는 양산상황에서의 wafer로 BST의 brush pressure와 brushing time을 조정하여 particle 제거율을 살펴보았다. 그로 인해 wafer backside에 부착되어 있는 particle로 인한 local focus 혹은 focus spot defect을 30% 감소시켰다.
목차
- 제1장 서론 .............................................................................................................. 1제2장 이론적 배경 및 관련 연구 ............................................................................ 32.1 Photolithography process 개론 ...................................................................... 32.2 Photolithography process 순서 ...................................................................... 52.3 Photolithography defect의 종류 .................................................................. 112.4 Focus spot 발생 mechanism ........................................................................ 132.5 Backside surface treatment에 관한 연구 ................................................... 152.6 BST 기본 동작 sequence ............................................................................. 162.7 기존 BST process 연구의 한계 ................................................................... 18제3장 Backside surface treatment 개선 실험...................................................... 193.1 Center area brushing process 개선 실험 .................................................... 193.2 Middle area brushing process 개선 실험 .................................................... 213.3 Edge area brushing process 개선 실험 ....................................................... 233.4 Particle removal ratio 계산 .......................................................................... 253.5 반도체 process wafer에서의 개선사항 적용 실험 ...................................... 25제4장 실험 결과 ................................................................................................... 274.1 PSL coated wafer 실험 결과 ........................................................................ 274.2 Product wafer 실험 결과 .............................................................................. 31제5장 결론 ............................................................................................................ 36참고문헌 ................................................................................................................ 37Abstract ….......................................................................................................... 39