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초록·키워드
본 논문은 5G NR n78 대역(3.3～3.8 GHz)을 위한 2 μm InGaP/GaAs HBT 기반 2단 차동 전력증폭기(PA)에서 온칩 차동 변압기(토폴로지 I), 오프칩 집중 소자 정합 회로(토폴로지 Ⅱ), 온칩 단일-차동 변환 변압기(토폴로지 Ⅲ) 세 가지 단간 정합 토폴로지가 이득, 출력 전력 및 전력부가효율(PAE)에 미치는 영향을 동일한 증폭단 MMIC와 부하 조건하에서 실측 기반으로 비교 분석한다. 실측 결과, 토폴로지 I은 전 대역에서 가장 높은 선형 이득(30.3～31.4 dB)을 확인하였으며, 토폴로지 II는 3.55 GHz에서 최대 PAE 39.1 %를 달성하였다. 토폴로지 III는 전 대역에서 가장 안정적인 PAE(39.8～41 %)와 Psat(35.1～35.3 dBm)을 나타내었다. 최종적으로 토폴로지별 PA 특성 및 권장 용도를 정리함으로써, 본 연구 결과는 n78 대역 PA 설계 시 단간 정합 구조 선정을 위한 실측 기반의 설계 지침을 제공한다.
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