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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제3호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 99 - 102 (4page)
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The electrical characteristics of CMOS inverter with LDMOSFET are studied for high power and digital circuit application by using two dimensional MEDICI simulator. The simulation is done in terms of voltage transfer characteristic and on-off switching properties of CMOS inverter with variation of channel length and channel doping levels. The channel which surrounds a junction-type source in LDMOSFET is considered to be an important parameter to decide a circuit operation of CMOS inverter. The digital logic levels of input voltage show to increase with increase of n-channel length and doping levels while the logic output levels show to the almost constant.
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/ 1988. / A symmetric CMOS NOR gate for high speed application sc-23 : 1233 ~
/ 1996. / High efficiency LDMOS power FET for low voltage wireless communications : 91 ~
/ 2001. / A high density, low on-resistance, trench lateral power MOSFET with a trench bottom source contact : 143 ~
/ 2003. / A novel trench gate LDMOS for RF applications : 214 ~
/ 2003. / The impact of substrate surface potential on the performance of RF power LDMOSFETs on high-resistivity SOI : 363 ~
/ 1996. / High efficiency LDMOS power FET for low voltage wireless communications : 91 ~
/ 2001. / A high density, low on-resistance, trench lateral power MOSFET with a trench bottom source contact : 143 ~
/ 2003. / A novel trench gate LDMOS for RF applications : 214 ~
/ 2003. / The impact of substrate surface potential on the performance of RF power LDMOSFETs on high-resistivity SOI : 363 ~
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