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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제3호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 141 - 144 (4page)
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In the present work, we investigated the holographic grating erasing method by means of the optical method. It was formed the grating under the interference of holographic recording He-Ne laser beams on chalcogenide As40Ge10Se15S35 thin film with various film thickness and erased the holographic grating by non-polarized He-Ne laser beam. As the results, the recording grating erased the 80 % of formed grating by non-polarized He-Ne laser beam. It was confirmed that the erasing characteristics by non-polarized laser beam need to improve the focusing of beam and the control of beam intensity. And then it can be expected as the application possibility of rewritable holographic memory technology.
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/ 1984. / Diffraction efficiency and selectivity of polarization holographic recording 31 : 579 ~
/ 1995 / The analysis of Ag doping mechanism by photo-exposure 8 (4) : 472 ~
/ 1998. / Photoinduced transformations in amorphous Se75Ge25 thin film by XeCl excimer-laser exposure 83 : 5381 ~
/ 1998. / Structural and optical properties of obliquely deposited amorphous As40Ge10Se15S35 thin film as anisotropic materials 2 : 927 ~
/ 1998. / Toward understanding the photo-induced change inchalcogenide glasses 32 (8) : 850 ~
/ 1995 / The analysis of Ag doping mechanism by photo-exposure 8 (4) : 472 ~
/ 1998. / Photoinduced transformations in amorphous Se75Ge25 thin film by XeCl excimer-laser exposure 83 : 5381 ~
/ 1998. / Structural and optical properties of obliquely deposited amorphous As40Ge10Se15S35 thin film as anisotropic materials 2 : 927 ~
/ 1998. / Toward understanding the photo-induced change inchalcogenide glasses 32 (8) : 850 ~
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