Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

정원국

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1990 .05

Si-doped GaAs의 수소화 처리

오태석 ,  주웅길 ,  이번 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Heavily Si-Doped GaAs

Nam Young Lee ,  Chul Lee ,  Jae Eun Kim 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

MOCVD법을 이용한 Sapphire(${Al}_{2}{O}_{2}$) 기판상의 GaN 선택적 성장특성 연구

이재인 ,  변동진 ,  금동화 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

레이저 CVD를 이용한 GaAs/GaAs 및 GaAs/Si 결정성장연구

최웅림 ,  구자강 ,  정진욱 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구

양수미 ,  이만근

한국태양에너지학회 학술대회논문집

1999 .04

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과

李鐵眞

전기학회논문지

1998 .12

Photoluminescence and Stress Relaxtion by Si Doping in GaN Grown With Metalorganic Chemical Vapor Deposition

In Hwan Lee ,  In Hoon Choi ,  Cheul Ro Lee 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Atomic growth simulation on a vicinal Si ( 001 ) surface using ab initio molecular dynamics method

Young Hee Lee ,  Eun Ja Kim ,  Michele Pa 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

유기 금속 화학 증착법을 이용한 수직형 GaAs 전계효과 트랜지스터 제작 ( Fabrication of Vertical GaAs FET by Metalorganic Chemical Vapor Deposition )

홍창희 ,  김창태 ,  정기웅 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY AND PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF InGaAs STRAINED QUANTUM WIRES ON GaAs VICINAL (110) SUBSTRATES

Shim ,  Byoung-R. ,  To 외 10명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )

신정훈 ,  김재현 ,  엄윤용

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .06

As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴

임광국 ,  김민수 ,  임재영

한국표면공학회지

2010 .08

GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광

조신호

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Parametric study of the process parameters on the Si epitaxial growth

Imama Zaidi ,  Dong Guk Ko ,  Ik-Tae Im

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구 ( The Dependence of Deep Levels of molecular Beam Epitaxial Si-doped In0.52Al0.48As on Growth Temperature )

오원웅 ,  유성룡 ,  오재응 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

GaAs / AlGaAs Buried Channel Stripe lasers by Single-Stage Metalorganic Chemical Vapor Deposition on V-Grooved Substrate

김은규 ,  김태근 ,  손창식 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성

손창식

전기전자재료학회논문지

2002 .01