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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.4
- 수록면
- 205 - 212 (8page)
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The heterointerface solar cell has been considered as a potential candidate for the achievement of much higher photovoltaic power conversion efficiency than the mono cell. GaAs has long been recognized as a material with a bandgap more favorable than that of Si for maximizing the larger bangap of GaAs also favors operation at elevated temperatures. High-efficiency GaAs/GaAs heterostructure solar cells have been grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). However, progress in the realization of GaAs/GaAs heterostructure solar cells has been impeded by difficulties in growing high quality electronic epitaxial layers. A study of metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) growth parameters : growth temperature, x-mole fraction of TMGa and TMAl, aluminum precursor purity, to obtain high quality GaAlAs epilayers, is presented. We have fabricated GaAs/GaAs solar cells 5㎜×5㎜ in area. These cell structures employ a thin(500Å) GaAlAs:Zn window and GaAs:Zn/GaAs:Si p-n junction and GaAs:Zn/GaAs:n.i.d/GaAs:Si p-i-n junction grown entirely by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) process. This paper shows computer simulation and experimental results.
목차
abstract
1. 서론
2. 태양전지 특성
3. 실험방법
4. 실험결과
5. 결론
6. 참고문헌
참고문헌 (0)
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