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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이원섭 (수원대학교 전기전자공학부) 최광수 (Applied materials Korea)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제5호
발행연도
1999.1
수록면
460 - 466 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

Physical Characterization of GaAs/$\textrm{Al}_{x}\textrm{Ga}_{1-x}\textrm{As}$/GaAs Heterostructures by Deep Level transient Spectroscopy
이원섭 ,  최광수 한국재료학회지 1999.01 학술저널

1995

DLTS 방법에 의한 $GaAs/Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 이종구조의 물성분석에 관한 연구
이원섭 ,  최광수 ,  최영환 한국재료학회 학술발표대회 1995.01 학술대회자료

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The deep level electron traps in AP-MOCVD GaAs/undoped Al\ulcornerGa\ulcornerAs/n-type GaAs heterostructures have been investigated by means of Deep Level Transient Spectroscopy DLTS). In terms of the experimental procedure, GaAs/undoped Al\ulcornerGa\ulcornerAs/n-type GaAs heterostructures were deposited on 2" undoped semi-insulating GaAs wafers by the AP-MOCVD method at $650^{\circ}C$ with TMGa, AsH3, TMAl, and SiH4 gases. The n-type GaAs conduction layers were doped with Si to the target concentration of about 2$\times$10\ulcornercm\ulcorner. The Al content was targeted to x=0.5 and the thicknesses of Al\ulcornerGa\ulcornerAs layers were targeted from 0 to 40 nm. In order to investigate the electrical characteristics, an array of Schottky diodes was built on the heterostructures by the lift-off process and Al thermal evaporation. Among the key results of this experiment, the deep level electron traps at 0.742~0.777 eV and 0.359~0.680 eV were observed in the heterostructures; however, only a 0.787 eV level was detected in n-type GaAs samples without the Al\ulcornerGa\ulcornerAs overlayer. It may be concluded that the 0.787 eV level is an EL2 level and that the 0.742~0.777 eV levels are related to EL2 and residual oxygen impurities which are usually found in MOCVD GaAs and Al\ulcornerGa\ulcornerAs materials grown at $630~660^{\circ}C$. The 0.359~0.680 eV levels may be due to the defects related with the al-O complex and residual Si impurities which are also usually known to exist in the MOCVD materials. Particularly, as the Si doping concentration in the n-type GaAs layer increased, the electron trap concentrations in the heterostructure materials and the magnitude of the C-V hysteresis in the Schottky diodes also increased, indicating that all are intimately related.ated.

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