트리플 풀다운 산화물 박막트랜지스터 게이트 드라이버

김지선 ,  박기찬 ,  오환술

전자공학회논문지-SD

2012 .01

나노재료 입계상의 소성변형에 대한 입계확산크립 모델

김형섭 ,  오승탁 ,  이재성

소성·가공

2001 .09

터널링 전계효과 트랜지스터의 단채널 특성과 수직채널 터널링 소자의 동작

선민철 ,  김상완 ,  김가람 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

저가 지상전력을 위한 다결정 실리콘 태양전지 제작

김상수 ,  임동건 ,  심경석 외 3명

한국태양에너지학회 논문집

1997 .12

박막트랜지스터 액정디스플레이 ( TFT - LCD ) 의 개발 현황

장진

전자공학회지

1995 .03

다결정 실리콘에 제작한 TFT의 전류-전압 특성 ( The Current-Voltage Characteristics of the Polysilicon TFT )

장정일 ,  홍성희 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

비정질 실리콘 박막트랜지스터 문턱전압의 온도 의존성

李愚宣 ,  李殷求 ,  崔淙宣

전기학회논문지

1997 .01

미래의 터널기술

홍성완 ,  조계춘

대한토목학회지

2005 .08

박막트랜지스터의 채널 내에 형성된 금속 유도 측면 결정화의 경계가 누설전류에 미치는 영향 ( Effect of Metal-Induced Lateral Crystallization Boundary Located in the TFT Channel Region on the Leakage Current )

김태경 ,  김기범 ,  윤여건 외 3명

전자공학회논문지-SD

2000 .04

차세대 저전력 터널링 트랜지스터

최송헌 ,  최우영

전자공학회지

2015 .07

P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로

정훈주

한국정보기술학회논문지

2013 .03

Device Physics of Low Temperature Poly-Si and Single Grain TFTs

Miglio ,  ato ,  P. 외 9명

한국정보디스플레이학회 International Meeting

2004 .01

비대칭 DGMOSFET에서 터널링 전류가 채널길이에 따른 문턱전압이동에 미치는 영향

정학기

한국정보통신학회논문지

2016 .07

P형 짧은 채널(L=1.5 ㎛) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 오프 상태 스트레스 하에서의 신뢰성 분석

이정수 ,  최성환 ,  박상근 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2009 .07

다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 Off 전류 저감

배병성 ,  박용해 ,  마석범 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

유기박막 트랜지스터의 기술 동향

송정근

고분자 과학과 기술

2003 .02