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전기적 스트레스가 금속 유도 측면 결정화에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류에 미치는 영향 ( The electrical stress effect on the leakage current of poly-Si thin film transistors fabricated by metal induced lateral crystallization )
전자공학회논문지-A
1996 .09
새로운 구조의 금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
낮은 누설전류를 갖는 박막 트랜지스터의 제조
대한전자공학회 학술대회
1984 .11
낮은 누설전류를 갖는 박막 트랜지스터의 제조 ( Fabrication of Low-leakage-Current T.F.T. )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
금속 유도 측면 결정화에 의해 유리기판 위에 제작된 저온 ( 450C ) 다결정 박막 트랜지스터에 관한 연구 ( A Study on the Low Temperature ( 450 C ) Poly-Si TFT Fabricated on the Glass Substrate by Metal-Induced Lateral Crystallization ( MILC ) )
전자공학회논문지-D
1998 .05
금속 유도 측면 결정화법에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 스트레스 효과에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
누설 전류 감소를 위한 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 공정에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
이중 금속 측면 결정화를 이용한 400。C 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 및 그 특성에 관한 연구 ( Fabrication and characteristics of poly - Si thin film transistors by double - metal induced lateral crystallization at 400˚C )
전자공학회논문지-D
1997 .04
이온 질량 주입이 금속 유도 측면 결정화에 미치는 영향 ( Effect of Ion Mass Doping on Metal-Induced Lateral Crystallization )
전자공학회논문지-SD
2000 .04
금속 유도 측면 결정화를 이용한 박막 트랜지스터의 RTA 후속열처리 효과
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
다결정 실리론 TFT의 누설전류 모델링에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
입계에서의 터널링으로 해석한 박막트랜지스터의 전류-전압 특성 ( 1 - 5 Characteristics of the TFT Analyzed by Tunneling in Grain Boundaries )
전자공학회논문지
1989 .06
P형 짧은 채널(L=1.5 ㎛) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 오프 상태 스트레스 하에서의 신뢰성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
선택적으로 도핑된 채널을 가지는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
TFT-LCD array에 FALC 공정을 적용한 채널영역의 저온결정화 연구
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
고온 다결정 박막트랜지스터의 전기적 특성과 누설전류 특성 ( Electric Characteristics and Leakage Current Mechanisms of High-Temperature Polysilic )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
대기상태인 논리 회로에서의 누설전류 최소화 입력 탐색 방법
전자공학회논문지-SD
2009 .10
TFT-LCD의 Switching 소자용 저누설전류 Poly-Si TFT제작
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
전력설비의 누설전류특성 연구
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
2016 .05
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