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이온 질량 주입된 비정질 실리콘의 금속 유도 측면 결정화 거동에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
실리콘 박막에서 이온 질량 도핑에 의해 주입된 인의 전기적 활성화에 관한 연구 ( A Study on the Electrical Activation of Ion Mass Doped Phosphorous on Silicon Films )
전자공학회논문지-A
1995 .01
새로운 구조의 금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
금속 유도 결정화에 의한 저온 불순물 활성화 ( Low Temperature Activation of Dopants by Metal Induced Crystallization )
전자공학회논문지-D
1997 .05
박막트랜지스터의 채널 내에 형성된 금속 유도 측면 결정화의 경계가 누설전류에 미치는 영향 ( Effect of Metal-Induced Lateral Crystallization Boundary Located in the TFT Channel Region on the Leakage Current )
전자공학회논문지-SD
2000 .04
Ion Mass Doping 에 의한 인의 전기적 활성화에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Cu를 이용한 전계 유도 방향성 결정화방법에 의한 결정화 특성
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
금속 유도 측면 결정화법에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 스트레스 효과에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
이온 주입 기술 현황
기계와 재료
2001 .01
전기적 스트레스가 금속 유도 측면 결정화에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류에 미치는 영향 ( The electrical stress effect on the leakage current of poly-Si thin film transistors fabricated by metal induced lateral crystallization )
전자공학회논문지-A
1996 .09
이중 금속 측면 결정화를 이용한 400。C 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 및 그 특성에 관한 연구 ( Fabrication and characteristics of poly - Si thin film transistors by double - metal induced lateral crystallization at 400˚C )
전자공학회논문지-D
1997 .04
Ion Mass Doping 법을 이용한 Phosphorus 주입된 실리콘 박막의 Annealing 특성
한국표면공학회지
1994 .08
이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구
에너지공학
2009 .06
금속 킬레이트제의 시너지효과를 이용한 신용매($CO_2$)내 금속이온 추출연구
한국방사성폐기물학회 학술대회
2004 .01
신 이온교환수지에 의한 다가 금속이온의 이온교환 특성
대한환경공학회지
2002 .09
METAL-INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON FILMS ON GLASS USING RAPID THERMAL ANNEALING
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
이온손실 없는 단일입자 질량 분석기의 개발(Ⅰ) - 모사
대한기계학회 춘추학술대회
2005 .05
금속 유도 측면 결정화를 이용한 박막 트랜지스터의 RTA 후속열처리 효과
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
전계 유도 방향성 결정화 공정시 비정질 실리콘 박막의 결정화에 미치는AC전압의 영향
한국재료학회 학술발표대회
2004 .01
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