지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
등록된 정보가 없습니다.
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
Punchthrough 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델 ( An Analytic Model for Punchthrough Limited Breakdown Voltage of Cylindrical Junctions )
전자공학회논문지-D
1999 .04
자기정렬 DMOS 트랜지스터의 채널 길이와 채널 Punchthrough에 관한 고찰 ( A Study on the Channel Length and the Channel Punchthrough of Self-Aligned DMOS Transistor )
전자공학회논문지
1988 .11
NMOS 회로를 이용한 Variable Threshold Logic
대한전자공학회 학술대회
1984 .11
NMOS 회로를 이용한 Variable Threshold Logic ( Variable Threshold Logic Implemented With NMOS Circuitry )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
70 ㎚ nMOS의 RF 적용을 위한 transistor matching
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
부트스트랩된 NMOS 드라이버를 활용한 안정한 전압강하회로
대한전자공학회 학술대회
2009 .05
DD NMOSFET에서의 punchthrough 특성에 관한 연구 ( The punchthrough characteristics of DD NMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
DD NMOSFET에서의 punchthrough 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1986 .12
NMOS 소자의 제작 및 평가 ( Fabrication and Evaluation of NMOS Devices )
전자공학회지
1979 .09
㏈-Linear Function Circuit Using Composite NMOS Transistor
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2004 .08
CMOS 이미지 센서용 NMOS-Diode eFuse OTP 설계
한국정보통신학회논문지
2016 .02
Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선
전자공학회논문지-SD
2004 .04
원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .07
펀치드루 다이오드의 평면형 항복전압에 대한 해석적인 모형
전기학회논문지
1996 .07
소자 시뮬레이션을 이용한 ESD 보호용 NMOS 트랜지스터의 항복특성 분석 ( Analysis on the Breakdown Characteristics of ESD - protection NMOS Transistors Based on Device Simulations )
전자공학회논문지-D
1997 .11
천연망간산화물과 버네사이트에 의한 1-Naphthol의 제거 특성 비교
대한환경공학회지
2009 .04
원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링
전기학회논문지
1996 .05
NMOS , CMOS제작공정
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
고속열확산 공정에 의해 형성된 Phosphorus Source/Drain을 갖는 NMOS 트랜지스터의 특성 ( Characteristics of NMOS Transistors with Phosphorus Source/Drain Formed by Rapid Thermal Diffusion )
전자공학회논문지
1990 .09
빠른 턴온과 낮은 트리거 전압을 갖는 NMOS기반의 ESD 보호회로의 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
0