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대한전자공학회 전자공학회논문지-SC 전자공학회논문지 제40권 SC편 제4호
발행연도
2003.7
수록면
51 - 57 (7page)

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0.5 ㎛ 2중 폴리 CMOS 공정을 이용하여 새로운 뉴럴 오실레이터를 설계, 제작하였다. 제안하는 뉴럴 오실레이터는 트랜스콘덕터 및 캐패시터와 비선형 가변 부성저항으로 이루어진다. 뉴럴 오실레이터의 입력단으로 사용되는 비선형 가변 부성저항은 정귀환의 트랜스콘덕터와 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 또한 SPICE 모의실험을 통하여 제안한 오실레이터의 특성분석 후 집적회로 설계를 실시하였다. 한편 흥분성 및 억제성 시냅스로 연결된 4개의 뉴럴 오실레이터로 간단한 신경회로망을 구성하여 그 특성을 확인하였다. 집적회로로 제작된 뉴럴 오실레이터에 대하여 ± 2.5 V 전원 조건하에서 측정된 결과를 분석하고 모의실험 결과와 비교한다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. Bump 회로를 이용한 비선형 가변 부성저항의 설계

Ⅲ. 비선형 가변 부성저항을 이용한 뉴럴 오실레이터의 제안

Ⅳ. 뉴럴 오실레이터의 간단한 네트워크 응용

Ⅴ. 제안하는 뉴럴 오실레이터의 제작 및 측정

Ⅵ. 결론

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