半絶緣 갈륨비소의 赤外線 映像에 의한 웨이퍼成長條件 및 溫度從屬 퀀칭율 證明

강성준

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강성준

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제7호

발행연도: 2003.7

수록면: 1 - 5 (5page)

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적외선 영상기법을 이용해 반절연 GaAs 기판 내의 EL2 영상에 대한 Photoquenching의 영향을 성장 원상태(as-grown)의 샘플과 열처리 샘플을 중심으로 분석하였다. 본 논문에서 Quenching 메커니즘은 샘플에 의존적이고 또한 Quenching율은 샘플의 성장조건과 Quenching 온도에 따라 다르다는 것을 영상적으로 정확히 증명하고 있는데 이는 기존의 연구내용과는 다소 상충된 새로운 내용이다.

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